CAS:12055-23-1丨酸化ハフニウム

二酸化ハフニウムは、広いバンドギャップと高い誘電率を持つ一種のセラミック材料です。 最近、シリコンベースの集積回路のコアである金ケミカルブック酸化物半導体電界効果管（MOSFET）のゲー​​ト絶縁層を置き換える可能性があるため、特にマイクロエレクトロニクスの分野で業界で大きな注目を集めています。 MOSFET の従来の SiO2/Si 構造の開発におけるサイズ制限の問題を解決するため。

金属ハフニウムおよびハフニウム合金原料の製造用。 耐火性、抗放射性コーティングおよび触媒として使用されます。

カス:12055-23-1

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